三星电子NRD-K半导体研制综合体进机 将导入ASML High NA EUV光刻设备
时间: 2024-11-21 07:00:02 | 作者: 贝博官网
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【三星电子NRD-K半导体研制综合体进机 将导入ASML High NA EUV光刻设备】《科创板日报》20日讯，三星电子举行了坐落器兴园区的NRD-K新半导体研制综合体的进机典礼。NRD-K半导体研制综合体将成为三星电子DS部部属三大事业部（存储器、体系LSI和Foundry）的一起中心研制基地，到2030年这一项目将累计取得约20万亿韩元的出资。NRD-K还将包括一条研制专用线年中投入到正常的运用中。NRD-K综合体将导入ASMLHigh NA EUV光刻机、新材料堆积设备在内的一系列最先进半导体生产工具，旨在加快3D DRAM、千层V-NAND在内的下代存储芯片开发。
